On olemassa monenlaisia sputterointikohteita, joilla on korkeat puhtausvaatimukset, ja niitä käytetään laajasti myös teollisuudessa. Tänään puhumme neljästä sputterointikohteesta, joita käytetään yleisesti neljällä pääalueella: erittäin puhtaat alumiinikohteet, titaanikohteet, tantaalikohteet ja volframi-titaanikohteet. Ne kattavat litteiden näyttöjen, puolijohteiden, varastoinnin ja aurinkokennojen alat.
Alumiinitavoite (varaston puhtaus 99,99 prosenttia - 99,999 prosenttia )
Erittäin puhdas alumiini ja sen seokset ovat yksi laajalti käytetyistä johtavista kalvomateriaaleista. Sovellusalueellaan VLSI-sirujen valmistus vaatii erittäin korkeaa sputterointikohdemetallin puhtautta, yleensä jopa 99,9995 prosenttia, kun taas litteiden näyttöjen ja aurinkokennojen metallin puhtaus on hieman alhaisempi.
Titaanin tavoite (varaston puhtaus 99,99 prosenttia - 99,999 prosenttia)
Titaani on yksi VLSI-siruissa yleisesti käytetyistä sulkukalvomateriaaleista (vastaava johtavan kerroksen materiaali on alumiinia). Titaanikohdetta käytetään yhdessä titaanirenkaan kanssa esisirun valmistusprosessissa. Päätehtävänä on avustaa titaanikohteiden ruiskutusprosessia, jota käytetään pääasiassa VLSI-sirun valmistuksessa.
Tantaalitavoite (varaston puhtaus 99 prosenttia, 99,5 prosenttia, 99,9 prosenttia, 99,995 prosenttia, 99,99 prosenttia, 99,995 prosenttia, 99,999 prosenttia)
Kulutuselektroniikan, kuten älypuhelimien ja tablettien, kysynnän räjähdysmäisen kasvun myötä huippuluokan sirujen kysyntä on kasvanut merkittävästi, ja tantaalista on tullut kuuma mineraalivarasto. Tantaaliresurssien niukkuuden vuoksi erittäin puhtaat tantaalikohteet ovat kuitenkin kalliita ja niitä käytetään pääasiassa suurissa integroiduissa piireissä ja muilla aloilla.
Titaaninen volframikohde (99,95 prosentin puhtaus varastossa)
Volframi-titaaniseoksella on alhainen elektronien liikkuvuus, vakaat lämpömekaaniset ominaisuudet, hyvä korroosionkestävyys ja hyvä kemiallinen stabiilisuus. Viime vuosina volframi-titaaniseoksesta valmistettua sputterointikohdetta on käytetty puolijohdesiruverkkopiirien kontaktikerroksen materiaalina. Lisäksi puolijohdelaitteiden metalliliitoksissa sulkukerroksina voidaan käyttää volframi- ja titaanikohteita. Sitä käytetään korkeissa lämpötiloissa, pääasiassa VLSI- ja aurinkokennoissa.
