Titaaninen sputtering kohdetoimitus asiakkaalle 13.12
Tuotenimi Titanium round target
Grade Gr1 Gr2 Gr3 Gr5 (Ti6al4v)
Normaali titaanikohde: tekniset ehdot: ASTM B34897:n mukainen
Titaanilevykohde: tekniset ehdot: ASTM B:n mukainen265-93
Tekniset tiedot: yleinen erittely: 60/65/95/100 * 30/32/40/45mm
Levykohde: (8-25mm * (150-300) mm * (1000-2500) mm
Putken kohde: 70mm * 7mm/10mm
Pintakiillotus voidaan kierrettää
Ominaisuudet: Kevyt, erinomainen korroosionkestävyys, korroosionkestävyys, korkea lujuus, hyvä lämmönkestävyys, hyvä sitkeys, myrkytön, ei-magneettinen, erinomainen mekaaninen lujuus jne.
Tila Hehkutustila (M) Kuumatyöstötila (R) Kylmätyöstötila (Y) (hehkutus, ultraäänivirheiden tunnistus)
Käyttökohteet: Käytetään puolijohteiden erotuslaitteissa, litteissä näytöissä, varastointielektrodikalvoissa, sputterointipinnoitteissa, työkappaleiden pintapinnoitteissa, lasipinnoitusteollisuudessa
Puhtaus on yksi tärkeimmistä titaanitaulujen suoritusindikaattoreista, koska kohteen puhtaudella on suuri vaikutus kalvon suorituskykyyn. Käytännön sovelluksissa vaatimukset kohteen puhtaudelle ovat kuitenkin myös erilaisia. Silikonisirujen koko vaihtelee nyt 6-8 tuumasta 12 tuumaan, ja johtojen leveydet ovat kutistuneet 0,5 um:sta 0,25 um:iin, 0,18 um:iin tai jopa 0,13 um mikroelektroniikkateollisuuden nopean kehityksen ansiosta. Aikaisemmin 99,995 prosenttia tavoitepuhtaudesta voi täyttää 0,35 um IC:n prosessivaatimukset, kun taas 99,999 prosenttia tai jopa 99,9999 prosenttia tavoitepuhtaudesta vaaditaan 0,18 um linjojen valmistukseen. .
Saostettujen kalvojen pääasialliset saastelähteet ovat kohdekiintoaineen epäpuhtaudet sekä huokosissa oleva happi ja vesihöyry. Eri kohdemateriaaleilla on erilaiset vaatimukset eri epäpuhtauspitoisuuksille. Esimerkiksi puolijohdeteollisuudessa käytettävillä puhtailla alumiini- ja alumiiniseoskohteilla on erityisiä vaatimuksia alkalimetallipitoisuudelle ja radioaktiivisten alkuaineiden pitoisuudelle.
Kohteessa vaaditaan tyypillisesti suuri tiheys kohdekiintoaineen huokoisuuden vähentämiseksi ja sputteroidun kalvon suorituskyvyn parantamiseksi. Kalvon sähköisiin ja optisiin ominaisuuksiin vaikuttaa myös tavoitetiheys sputterointinopeuden lisäksi. Kalvo toimii paremmin, mitä suurempi tavoitetiheys. Lisäksi kohde voi selviytyä sputterointiprosessin lämpöstressistä paremmin muuttumalla tiheämmäksi ja vahvemmiksi. Tiheys on myös yksi tärkeimmistä tavoitteen suoritusindikaattoreista.
